350 nanòmetres (350 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 350 nm. És una millora de la tecnologia de 600 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 644 àtoms de llargada.[1]
↑Nishi, Yoshio; Doering, Robert. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, Second Edition (en anglès). CRC Press, 2007-07-09. ISBN 9781420017663.
↑«250 nm lithography process - WikiChip» (en anglès). en.wikichip.org. [Consulta: 19 març 2017].